品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004CNDTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RDD023N50TL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:5.4Ω@1A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RDD023N50TL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:5.4Ω@1A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RW4E045ATTCL1
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
输入电容:485pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:48mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004CNDTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RW4E045ATTCL1
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
输入电容:485pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:48mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RDD023N50TL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:5.4Ω@1A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RDD023N50TL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:5.4Ω@1A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RDD023N50TL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:5.4Ω@1A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RDD023N50TL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:5.4Ω@1A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RW4E045ATTCL1
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
输入电容:485pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:48mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RDD023N50TL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:5.4Ω@1A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004CNDTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004CNDTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004CNDTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004PND3FRATL
功率:65W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.8Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RW4E045ATTCL1
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
输入电容:485pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:48mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RDD023N50TL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:5.4Ω@1A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004CNDTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RW4E045ATTCL1
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
输入电容:485pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:48mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004CNDTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RW4E045ATTCL1
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
输入电容:485pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:48mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004CNDTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RW4E045ATTCL1
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@1mA
功率:1.5W
输入电容:485pF@15V
栅极电荷:11nC@10V
类型:1个P沟道
连续漏极电流:4.5A
导通电阻:48mΩ@4.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: