销售单位:个
规格型号(MPN):R6011ENX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:散装
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011ENXC7G
工作温度:150℃
功率:53W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011ENXC7G
工作温度:150℃
功率:53W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011ENXC7G
工作温度:150℃
功率:53W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011ENX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:散装
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RX3G07CGNC16
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RX3G07CGNC16
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011ENX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:散装
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RX3G07CGNC16
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011ENXC7G
工作温度:150℃
功率:53W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6511ENJTL
功率:124W
阈值电压:4V@320μA
栅极电荷:32nC@10V
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@3.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RX3G07CGNC16
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011ENXC7G
工作温度:150℃
功率:53W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6511ENJTL
功率:124W
阈值电压:4V@320μA
栅极电荷:32nC@10V
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@3.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011ENXC7G
工作温度:150℃
功率:53W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011ENXC7G
工作温度:150℃
功率:53W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011ENXC7G
工作温度:150℃
功率:53W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011ENXC7G
工作温度:150℃
功率:53W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011ENX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:散装
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011ENXC7G
工作温度:150℃
功率:53W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6511END3TL1
功率:124W
阈值电压:4V@320μA
栅极电荷:32nC@10V
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@3.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011ENX
输入电容:670pF@25V
工作温度:150℃
功率:40W
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
栅极电荷:32nC@10V
阈值电压:4V@1mA
漏源电压:600V
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):R6011ENXC7G
输入电容:670pF@25V
工作温度:150℃
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
功率:53W
包装方式:管件
栅极电荷:32nC@10V
阈值电压:4V@1mA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RX3G07CGNC16
工作温度:150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:70A
阈值电压:2.5V@500µA
类型:N沟道
功率:78W
包装方式:管件
栅极电荷:32nC@10V
输入电容:2410pF@20V
导通电阻:4.7mΩ@70A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011ENXC7G
工作温度:150℃
功率:53W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6511ENJTL
功率:124W
阈值电压:4V@320μA
栅极电荷:32nC@10V
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@3.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: