销售单位：个

集电极电流(Ic)：30mA

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV

工作温度：-55℃~150℃

功率：150mW

输入电阻：47KΩ

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：22KΩ

集电极电流(Ic)：30mA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV

工作温度：-55℃~150℃

功率：150mW

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，10V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2KΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV

工作温度：-55℃~150℃

功率：150mW

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，10V

输入电阻：10kΩ

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极电流(Ic)：50mA

输入电阻：10kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极电流(Ic)：30mA

输入电阻：47kΩ

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

晶体管类型：PNP

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-150mV

集电极电流(Ic)：-30mA

工作温度：-55℃~150℃

功率：150mW

输入电阻：47KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

包装方式：卷带（TR）

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，10V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2KΩ

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV

工作温度：-55℃~150℃

功率：150mW

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：1613

输入电阻：2.2kΩ

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极电流(Ic)：50mA

输入电阻：10kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

ECCN：EAR99

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

晶体管类型：NPN-预偏压

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@5mA，10V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极电流(Ic)：50mA

输入电阻：22KΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV

工作温度：-55℃~150℃

功率：150mW

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：100KΩ

晶体管类型：PNP

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-150mV

工作温度：-55℃~150℃

功率：150mW

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：-100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

功率：150mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

晶体管类型：NPN-预偏压

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@5mA，10V

集射极击穿电压(Vceo)：50V

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极电流(Ic)：50mA

输入电阻：10kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV

工作温度：-55℃~150℃

功率：150mW

晶体管类型：NPN

输入电阻：4.7KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：22KΩ

晶体管类型：PNP

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-150mV

集电极电流(Ic)：-30mA

工作温度：-55℃~150℃

功率：150mW

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

包装方式：卷带（TR）

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

输入电阻：4.7kΩ

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2KΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV

工作温度：-55℃~150℃

功率：150mW

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1