销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):115@100mA,2V
集电极电流(Ic):200mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):30V
特征频率:260MHz
功率:150mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):115@100mA,2V
集电极电流(Ic):200mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):30V
特征频率:260MHz
功率:150mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):115@100mA,2V
集电极电流(Ic):200mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):30V
特征频率:260MHz
功率:150mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SSTA13T116
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):300mA
功率:200mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD2142KT146
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):300mA
功率:200mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:200MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SSTA13T116
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):300mA
功率:200mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):140@100mA,2V
集电极电流(Ic):200mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):30V
特征频率:260MHz
功率:150mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD2142KT146
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):300mA
功率:200mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:200MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD2142KT146
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):300mA
功率:200mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:200MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):115@100mA,2V
集电极电流(Ic):200mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):30V
特征频率:260MHz
功率:150mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):115@100mA,2V
集电极电流(Ic):200mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):30V
特征频率:260MHz
功率:150mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD2142KT146
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):300mA
功率:200mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:200MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):140@100mA,2V
集电极电流(Ic):200mA
输入电阻:1kΩ
集射极击穿电压(Vceo):30V
特征频率:260MHz
功率:150mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):140@100mA,2V
集电极电流(Ic):200mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):30V
特征频率:260MHz
功率:150mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD2142KT146
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):300mA
功率:200mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:200MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD2142KT146
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):300mA
功率:200mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:200MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):115@100mA,2V
集电极电流(Ic):200mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):30V
特征频率:260MHz
功率:150mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):140@100mA,2V
集电极电流(Ic):200mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):30V
特征频率:260MHz
功率:150mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SSTA13T116
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):300mA
功率:200mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):140@100mA,2V
集电极电流(Ic):200mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):30V
特征频率:260MHz
功率:150mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD2142KT146
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):300mA
功率:200mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:200MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD2142KT146
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):300mA
功率:200mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:200MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):140@100mA,2V
集电极电流(Ic):200mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):30V
特征频率:260MHz
功率:150mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD2142KT146
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):300mA
功率:200mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:200MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SSTA13T116
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):300mA
功率:200mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):140@100mA,2V
集电极电流(Ic):200mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):30V
特征频率:260MHz
功率:150mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD2142KT146
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):300mA
功率:200mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:200MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SSTA13T116
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):300mA
功率:200mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
特征频率:260MHz
直流增益(hFE@Ic,Vce):140@100mA,2V
集射极击穿电压(Vceo):30V
功率:150mW
集电极电流(Ic):200mA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
输入电阻:4.7kΩ
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
特征频率:260MHz
直流增益(hFE@Ic,Vce):140@100mA,2V
集射极击穿电压(Vceo):30V
功率:150mW
集电极电流(Ic):200mA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV@2.5mA,50mA
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
输入电阻:4.7kΩ
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存: