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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHU002N06FRAT106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RHU002N06T106
工作温度：150℃
功率：200mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
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漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
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漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：RJU002N06T106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@200mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：200mW
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阈值电压：1.5V@1mA
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输入电容：18pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@200mA，4.5V
漏源电压：60V
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导通电阻：2.3Ω@200mA，4.5V
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导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
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类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@200mA，4.5V
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类型：N沟道
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输入电容：15pF@10V
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类型：N沟道
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漏源电压：60V
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导通电阻：2.3Ω@200mA，4.5V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：4.4nC@10V
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类型：N沟道
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导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
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类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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