销售单位：个

输入电阻：2.2KΩ

功率：200mW

工作温度：-55℃~150℃

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：80mV@2.5mA，50mA

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：600mA

特征频率：200MHz

功率：200mW

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：15V

晶体管类型：NPN-预偏压

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@50mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

输入电阻：2.2kΩ

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@10mA，5V

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：20V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@3mA，30mA

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：820@10mA，5V

特征频率：35MHz

集电极电流(Ic)：400mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@10mA，5V

功率：200mW

ECCN：EAR99

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：20V

特征频率：150MHz

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：820@50mA，5V

集电极电流(Ic)：600mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

集射极击穿电压(Vceo)：40V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@50mA，5V

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：80mV@2.5mA，50mA

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：600mA

特征频率：200MHz

功率：200mW

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：15V

晶体管类型：NPN-预偏压

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@50mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：80mV@2.5mA，50mA

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：600mA

特征频率：200MHz

功率：200mW

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：15V

晶体管类型：NPN-预偏压

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@50mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

集射极击穿电压(Vceo)：40V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@50mA，5V

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2KΩ

晶体管类型：PNP

集电极电流(Ic)：-500mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

工作温度：-55℃~150℃

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV

包装方式：卷带（TR）

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

功率：200mW

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2KΩ

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

工作温度：-55℃~150℃

集射极击穿电压(Vceo)：40V

晶体管类型：NPN

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@10mA，5V

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

特征频率：200MHz

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

集射极击穿电压(Vceo)：40V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA

晶体管类型：NPN-预偏压

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@50mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2KΩ

晶体管类型：PNP

功率：200mW

工作温度：-55℃~150℃

集射极击穿电压(Vceo)：-50V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：-100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

输入电阻：2.2kΩ

直流增益(hFE@Ic，Vce)：22@10mA，5V

功率：200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1