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销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6J11TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：QS6J11TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：2个P沟道（双）
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：QS6J11TR
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功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：2A
类型：2个P沟道（双）
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：600mW
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：2A
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连续漏极电流：2A
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功率：600mW
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连续漏极电流：2A
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导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RTQ020N05TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@2A，4.5V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RSQ020N03TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：3.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：134mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：134mΩ@2A，10V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：RSQ020N03TR
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功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：3.1nC@5V
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输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：134mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RSQ020N03TR
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功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：3.1nC@5V
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输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：134mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：QS6J11TR
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功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
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规格型号(MPN)：QS6J11TR
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连续漏极电流：2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
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ECCN：EAR99
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输入电容：770pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
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规格型号(MPN)：QS6J11TR
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输入电容：770pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
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规格型号(MPN)：RTQ020N05TR
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功率：600mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
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输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@2A，4.5V
漏源电压：45V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：QS6J11TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：QS6J11TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RTQ020N05TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@2A，4.5V
漏源电压：45V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：QS6J11TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RTQ020N05TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@2A，4.5V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ020N03TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：3.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：134mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：QS6J11TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6J11TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6J11TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ020N03TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：3.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：134mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ020N03TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：3.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：134mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6J11TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ020N05TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@2A，4.5V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ020N03TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：3.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：134mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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