品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R8006KND3TL1
工作温度:150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@4mA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R8006KND3TL1
工作温度:150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@4mA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K2HZGTB
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.1nC@5V
输入电容:520pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5C060BCTCL
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:19.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1360pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:21.1mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K2HZGTB
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.1nC@5V
输入电容:520pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3U060CNTL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5C060BCTCL
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:19.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1360pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:21.1mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K2HZGTB
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.1nC@5V
输入电容:520pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ1A060ZPTR
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@6V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@6A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006KND3TL1
功率:70W
阈值电压:5.5V@1mA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:830mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3U060CNTL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K2HZGTB
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.1nC@5V
输入电容:520pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8M24GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@10V€1700pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N和P沟道
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSS060P05HZGTB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:32.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@6A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8M24GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@10V€1700pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N和P沟道
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8M24GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@10V€1700pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N和P沟道
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6006JNXC7G
工作温度:150℃
功率:43W
阈值电压:7V@800µA
栅极电荷:15.5nC@15V
包装方式:管件
输入电容:410pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:936mΩ@3A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8M24GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@10V€1700pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N和P沟道
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R8006KND3TL1
工作温度:150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@4mA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5C060BCTCL
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:19.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1360pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:21.1mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8M24GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@10V€1700pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N和P沟道
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5C060BCTCL
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:19.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1360pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:21.1mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: