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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RMW200N03TB
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25.1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：16.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25.1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：16.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25.1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：16.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25.1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：16.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25.1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：16.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25.1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：16.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25.1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：16.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25.1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：16.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200BNTB
连续漏极电流：20A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
栅极电荷：59nC@10V
输入电容：3100pF@15V
类型：N沟道
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200GNTB
连续漏极电流：20A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
栅极电荷：16.8nC@10V
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：1080pF@15V
功率：3W€25.1W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25.1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：16.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25.1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：16.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25.1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：16.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25.1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：16.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200BNTB
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.1nF@15V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25.1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：16.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200GNTB
功率：3W€25.1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：16.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@15V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E200BNTB
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.1nF@15V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
