采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
销售单位：个
功率：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：22KΩ
晶体管类型：PNP
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：-50V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：-100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个NPN-预偏置
功率：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个NPN-预偏置
功率：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：22KΩ
集电极电流(Ic)：100mA€-100mA
特征频率：250MHz€250MHz
晶体管类型：NPN/PNP
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V€-50V
包装方式：卷带（TR）
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV€-300mV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：22KΩ
工作温度：-55℃~150℃
晶体管类型：NPN
功率：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
ECCN：EAR99
功率：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：2个NPN-预偏置
功率：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：-300mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：-100mA
输入电阻：22KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：-50V
特征频率：250MHz
功率：300mW
晶体管类型：PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV€-300mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA€-100mA
输入电阻：22KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V€-50V
特征频率：250MHz€250MHz
功率：300mW
晶体管类型：NPN/PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：150mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV€-300mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA€-100mA
输入电阻：22KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V€-50V
特征频率：250MHz€250MHz
功率：300mW
晶体管类型：NPN/PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV€-300mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA€-100mA
输入电阻：22KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V€-50V
特征频率：250MHz€250MHz
功率：300mW
晶体管类型：NPN/PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV€-300mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA€-100mA
输入电阻：22KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V€-50V
特征频率：250MHz€250MHz
功率：300mW
晶体管类型：NPN/PNP
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22KΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：150mW
晶体管类型：NPN
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置(发射极耦合)
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置(发射极耦合)
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
