品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8J66TB1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@10V
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:18.5mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@1mA
工作温度:150℃
连续漏极电流:9A
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E120BNTB
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
输入电容:1500pF@15V
导通电阻:9.3mΩ@12A,10V
阈值电压:2.5V@1mA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8J66TB1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@10V
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:18.5mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@1mA
工作温度:150℃
连续漏极电流:9A
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS3E075ATTB
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@1mA
导通电阻:23.5mΩ@7.5A,10V
工作温度:150℃
输入电容:1250pF@15V
功率:2W
栅极电荷:25nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8MA4TB1
栅极电荷:19.6nC@10V
连续漏极电流:9A€8.5A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:N+P-Channel
工作温度:150℃
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E100BNTB
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10A
导通电阻:10.4mΩ@10A,10V
工作温度:150℃
类型:N沟道
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:1100pF@15V
栅极电荷:22nC@10V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E120BNTB
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
输入电容:1500pF@15V
导通电阻:9.3mΩ@12A,10V
阈值电压:2.5V@1mA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS3E075ATTB
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@1mA
导通电阻:23.5mΩ@7.5A,10V
工作温度:150℃
输入电容:1250pF@15V
功率:2W
栅极电荷:25nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HS8MA2TCR1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:5A€7A
类型:1个N沟道+1个P沟道
栅极电荷:8.4nC@10V€7.8nC@10V
输入电容:320pF@10V€365pF@10V
导通电阻:80mΩ@5.5A,10V€35mΩ@7A,10V
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RXH090N03TB1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
栅极电荷:6.8nC@5V
输入电容:440pF@10V
导通电阻:17mΩ@9A,10V
阈值电压:2.5V@1mA
连续漏极电流:9A
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E130BNTB
连续漏极电流:13A
导通电阻:6mΩ@13A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
类型:N-Channel
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS3E075ATTB
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@1mA
导通电阻:23.5mΩ@7.5A,10V
工作温度:150℃
输入电容:1250pF@15V
功率:2W
栅极电荷:25nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8KA4TB1
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:21.4mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@1mA
工作温度:150℃
连续漏极电流:9A
输入电容:640pF@15V
类型:2N沟道(双)
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HS8K1TB
连续漏极电流:10A€11A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:348pF@15V€429pF@15V
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@1mA
工作温度:150℃
类型:2N沟道(双)
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8J62TB1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
漏源电压:30V
工作温度:150℃
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:2.5V@1mA
导通电阻:56mΩ@4.5A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HS8K1TB
连续漏极电流:10A€11A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:348pF@15V€429pF@15V
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@1mA
工作温度:150℃
类型:2N沟道(双)
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RXH090N03TB1
输入电容:440pF@10V
导通电阻:17mΩ@9A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@1mA
类型:1个N沟道
连续漏极电流:9A
栅极电荷:6.8nC@5V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E075ATTCR
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:21.7mΩ@7.5A,10V
工作温度:150℃
输入电容:1000pF@15V
类型:P沟道
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:22nC@10V
功率:2W
连续漏极电流:7.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E160ADTB
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@16A,10V
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:51nC@10V
连续漏极电流:16A
功率:2W
输入电容:2550pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E075ATTCR
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:21.7mΩ@7.5A,10V
工作温度:150℃
输入电容:1000pF@15V
类型:P沟道
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
功率:2W
连续漏极电流:7.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HS8K1TB
连续漏极电流:10A€11A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:348pF@15V€429pF@15V
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@1mA
工作温度:150℃
类型:2N沟道(双)
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS3E075ATTB
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@1mA
导通电阻:23.5mΩ@7.5A,10V
工作温度:150℃
输入电容:1250pF@15V
功率:2W
栅极电荷:25nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UT6JA2TCR
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:305pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:70mΩ@4A,10V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8J65TB1
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:1200pF@10V
工作温度:150℃
导通电阻:29mΩ@7A,10V
功率:2W
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E100BNTB
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10A
导通电阻:10.4mΩ@10A,10V
工作温度:150℃
类型:N-Channel
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8J65TB1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
导通电阻:29mΩ@7A,10V
功率:2W
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRS100P03HZGTB
输入电容:3.6nF@10V
栅极电荷:39nC@5V
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@1mA
连续漏极电流:10A
导通电阻:12.6mΩ@10A,10V
类型:1个P沟道
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E120BNTB
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
输入电容:1500pF@15V
导通电阻:9.3mΩ@12A,10V
阈值电压:2.5V@1mA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HS8K1TB
连续漏极电流:10A€11A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:348pF@15V€429pF@15V
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@1mA
工作温度:150℃
类型:2N沟道(双)
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8MA3TB1
输入电容:300pF@15V€480pF@15V
连续漏极电流:7A€6A
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@1mA
工作温度:150℃
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存: