品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):180psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SLA5064
工作温度:150℃
功率:5W
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:460pF@10V€1200pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:3个N沟道和3个P沟道(3相桥式)
导通电阻:140mΩ@5A,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):18psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SLA5227
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极截止电流(Ices):600V
工作温度:150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):18psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SMA6010
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):4A
功率:4W
集电集截止电流(Icbo):100µA
特征频率:75MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@6mA,3A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:3 NPN,3 PNP 达林顿管(3 相桥)
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@3A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD01P
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):10A
功率:100W
集电集截止电流(Icbo):100µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@6mA,6A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@6A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):180psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SMA4030
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):3A
功率:4W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:40MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@3mA,1.5A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:4 NPN 达林顿(双)
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1.5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):18psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SLA5227
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极截止电流(Ices):600V
工作温度:150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):180psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SLA5064
工作温度:150℃
功率:5W
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:460pF@10V€1200pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:3个N沟道和3个P沟道(3相桥式)
导通电阻:140mΩ@5A,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):180psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SMA4030
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):3A
功率:4W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:40MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@3mA,1.5A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:4 NPN 达林顿(双)
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1.5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SLA6024
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):8A
功率:5W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:50MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@10mA,5A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:3 NPN,3 PNP 达林顿管(3 相桥)
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SB1560
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):10A
功率:100W
集电集截止电流(Icbo):100µA
特征频率:50MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@7mA,7A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@7A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SB1560
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):10A
功率:100W
集电集截止电流(Icbo):100µA
特征频率:50MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@7mA,7A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@7A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SLA6023
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):6A
功率:5W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:80MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@10mA,5A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:3 NPN,3 PNP 达林顿管(3 相桥)
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SLA6024
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):8A
功率:5W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:50MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@10mA,5A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:3 NPN,3 PNP 达林顿管(3 相桥)
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GKI03061
工作温度:150℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:2.5V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@31A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SMA5133
ECCN:EAR99
包装方式:管件
连续漏极电流:2.5A
类型:3个N沟道和3个P沟道(3相桥式)
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):18psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SLA6026
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):10A
功率:5W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:50MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@12mA,6A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:3 NPN,3 PNP 达林顿管(3 相桥)
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@6A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GKI03061
工作温度:150℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:2.5V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@31A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD01P
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):10A
功率:100W
集电集截止电流(Icbo):100µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@6mA,6A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@6A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SLA6023
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):6A
功率:5W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:80MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@10mA,5A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:3 NPN,3 PNP 达林顿管(3 相桥)
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GKI03061
工作温度:150℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:2.5V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@31A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GKI03061
工作温度:150℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:2.5V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@31A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):18psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SMA6010
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):4A
功率:4W
集电集截止电流(Icbo):100µA
特征频率:75MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@6mA,3A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:3 NPN,3 PNP 达林顿管(3 相桥)
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@3A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SMA5133
ECCN:EAR99
包装方式:管件
连续漏极电流:2.5A
类型:3个N沟道和3个P沟道(3相桥式)
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):180psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SMA4030
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):3A
功率:4W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:40MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@3mA,1.5A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:4 NPN 达林顿(双)
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1.5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FKV575
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3200pF@10V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@37A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FKV575
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3200pF@10V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@37A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD01P
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):10A
功率:100W
集电集截止电流(Icbo):100µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@6mA,6A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@6A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存: