品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):180psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SLA5064
工作温度:150℃
功率:5W
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:460pF@10V€1200pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:3个N沟道和3个P沟道(3相桥式)
导通电阻:140mΩ@5A,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD01N
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):10A
功率:100W
集电集截止电流(Icbo):100µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@6mA,6A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@6A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD01N
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):10A
功率:100W
集电集截止电流(Icbo):100µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@6mA,6A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@6A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD01N
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):10A
功率:100W
集电集截止电流(Icbo):100µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@6mA,6A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@6A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD01P
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):10A
功率:100W
集电集截止电流(Icbo):100µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@6mA,6A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@6A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SB1351
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):12A
功率:30W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:130MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@20mA,10A
包装方式:散装
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@10A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD2560
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):15A
功率:130W
集电集截止电流(Icbo):100µA
特征频率:70MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@10mA,10A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@10A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD2560
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):15A
功率:130W
集电集截止电流(Icbo):100µA
特征频率:70MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@10mA,10A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@10A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):180psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SLA5064
工作温度:150℃
功率:5W
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:460pF@10V€1200pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:3个N沟道和3个P沟道(3相桥式)
导通电阻:140mΩ@5A,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD2560
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):15A
功率:130W
集电集截止电流(Icbo):100µA
特征频率:70MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@10mA,10A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@10A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD2560
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):15A
功率:130W
集电集截止电流(Icbo):100µA
特征频率:70MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@10mA,10A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@10A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD2016
集射极击穿电压(Vceo):200V
集电极电流(Ic):3A
功率:25W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:90MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@1.5mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@1A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD2560
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):15A
功率:130W
集电集截止电流(Icbo):100µA
特征频率:70MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@10mA,10A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@10A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD2560
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):15A
功率:130W
集电集截止电流(Icbo):100µA
特征频率:70MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@10mA,10A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@10A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD2560
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):15A
功率:130W
集电集截止电流(Icbo):100µA
特征频率:70MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@10mA,10A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@10A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD2560
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):15A
功率:130W
集电集截止电流(Icbo):100µA
特征频率:70MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@10mA,10A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@10A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SLA6024
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):8A
功率:5W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:50MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@10mA,5A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:3 NPN,3 PNP 达林顿管(3 相桥)
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD2560
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):15A
功率:130W
集电集截止电流(Icbo):100µA
特征频率:70MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@10mA,10A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@10A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SB1559
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):8A
功率:80W
集电集截止电流(Icbo):100µA
特征频率:65MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@6mA,6A
包装方式:散装
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@6A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SB1560
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):10A
功率:100W
集电集截止电流(Icbo):100µA
特征频率:50MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@7mA,7A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@7A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SB1257
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):4A
功率:25W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:150MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@6mA,3A
包装方式:散装
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@3A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SB1560
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):10A
功率:100W
集电集截止电流(Icbo):100µA
特征频率:50MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@7mA,7A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@7A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD01N
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):10A
功率:100W
集电集截止电流(Icbo):100µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@6mA,6A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@6A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SB1351
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):12A
功率:30W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:130MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@20mA,10A
包装方式:散装
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@10A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD2560
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):15A
功率:130W
集电集截止电流(Icbo):100µA
特征频率:70MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@10mA,10A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@10A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SD2560
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):15A
功率:130W
集电集截止电流(Icbo):100µA
特征频率:70MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@10mA,10A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@10A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SLA6023
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):6A
功率:5W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:80MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@10mA,5A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:3 NPN,3 PNP 达林顿管(3 相桥)
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SLA6024
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):8A
功率:5W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:50MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@10mA,5A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:3 NPN,3 PNP 达林顿管(3 相桥)
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD01P
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):10A
功率:100W
集电集截止电流(Icbo):100µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@6mA,6A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@6A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存: