销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：10A

功率：5W

集电集截止电流(Icbo)：10µA（ICBO）

特征频率：50MHz

工作温度：150°C（TJ）

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V @ 12mA，6A

晶体管类型：3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000 @ 6A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：10A

功率：5W

集电集截止电流(Icbo)：10µA（ICBO）

特征频率：50MHz

工作温度：150°C（TJ）

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V @ 12mA，6A

晶体管类型：3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000 @ 6A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：60V

功率：5W

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000 @ 6A，4V

特征频率：50MHz

晶体管类型：3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥）

工作温度：150°C（TJ）

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V @ 12mA，6A

集电极电流(Ic)：10A

集电集截止电流(Icbo)：10µA（ICBO）

包装清单：商品主体 * 1