品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTWA70N120G2V-4
工作温度:-55℃~200℃
功率:547W
阈值电压:4.9V@1mA
栅极电荷:150nC@18V
包装方式:散装
输入电容:3540pF@800V
连续漏极电流:91A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@50A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGP20H65DFB2
包装方式:散装
集电极脉冲电流(Icm):60A
关断延迟时间:78.8ns
反向恢复时间:215ns
关断损耗:214µJ
开启延迟时间:16ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:56nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,20A
导通损耗:265µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD122-1
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:20W
集电集截止电流(Icbo):10µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGP20H65DFB2
包装方式:散装
集电极脉冲电流(Icm):60A
关断延迟时间:78.8ns
反向恢复时间:215ns
关断损耗:214µJ
开启延迟时间:16ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:56nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,20A
导通损耗:265µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL210N4F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD122-1
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:20W
集电集截止电流(Icbo):10µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGP20H65DFB2
包装方式:散装
集电极脉冲电流(Icm):60A
关断延迟时间:78.8ns
反向恢复时间:215ns
关断损耗:214µJ
开启延迟时间:16ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:56nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,20A
导通损耗:265µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTWA40N120G2V-4
工作温度:-55℃~200℃
功率:277W
阈值电压:4.9V@1mA
栅极电荷:61nC@18V
包装方式:散装
输入电容:1233pF@800V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:100Ω@20A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL210N4F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD122-1
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:20W
集电集截止电流(Icbo):10µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTWA40N120G2V-4
工作温度:-55℃~200℃
功率:277W
阈值电压:4.9V@1mA
栅极电荷:61nC@18V
包装方式:散装
输入电容:1233pF@800V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:100Ω@20A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGP20H65DFB2
包装方式:散装
集电极脉冲电流(Icm):60A
关断延迟时间:78.8ns
反向恢复时间:215ns
关断损耗:214µJ
开启延迟时间:16ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:56nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,20A
导通损耗:265µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL210N4F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD122-1
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:20W
集电集截止电流(Icbo):10µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD122-1
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:20W
集电集截止电流(Icbo):10µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTWA40N120G2V-4
工作温度:-55℃~200℃
功率:277W
阈值电压:4.9V@1mA
栅极电荷:61nC@18V
包装方式:散装
输入电容:1233pF@800V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:100Ω@20A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD122-1
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:20W
集电集截止电流(Icbo):10µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGP20H65DFB2
包装方式:散装
集电极脉冲电流(Icm):60A
关断延迟时间:78.8ns
反向恢复时间:215ns
关断损耗:214µJ
开启延迟时间:16ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:56nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,20A
导通损耗:265µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD122-1
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:20W
集电集截止电流(Icbo):10µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):600psc
规格型号(MPN):SCTWA70N120G2V-4
连续漏极电流:91A
导通电阻:30mΩ@50A,18V
工作温度:-55℃~200℃
类型:N沟道
漏源电压:1200V
功率:547W
阈值电压:4.9V@1mA
输入电容:3540pF@800V
栅极电荷:150nC@18V
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTWA70N120G2V-4
工作温度:-55℃~200℃
功率:547W
阈值电压:4.9V@1mA
栅极电荷:150nC@18V
包装方式:散装
输入电容:3540pF@800V
连续漏极电流:91A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@50A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD122-1
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:20W
集电集截止电流(Icbo):10µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD9N65DM6AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:11.7nC@10V
包装方式:散装
输入电容:510pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:440mΩ@4.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGP20H65DFB2
包装方式:散装
集电极脉冲电流(Icm):60A
关断延迟时间:78.8ns
反向恢复时间:215ns
关断损耗:214µJ
开启延迟时间:16ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:56nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,20A
导通损耗:265µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTWA70N120G2V-4
工作温度:-55℃~200℃
功率:547W
阈值电压:4.9V@1mA
栅极电荷:150nC@18V
包装方式:散装
输入电容:3540pF@800V
连续漏极电流:91A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@50A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTWA70N120G2V-4
工作温度:-55℃~200℃
功率:547W
阈值电压:4.9V@1mA
栅极电荷:150nC@18V
包装方式:散装
输入电容:3540pF@800V
连续漏极电流:91A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@50A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGP20H65DFB2
包装方式:散装
集电极脉冲电流(Icm):60A
关断延迟时间:78.8ns
反向恢复时间:215ns
关断损耗:214µJ
开启延迟时间:16ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:56nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,20A
导通损耗:265µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGP20H65DFB2
包装方式:散装
集电极脉冲电流(Icm):60A
关断延迟时间:78.8ns
反向恢复时间:215ns
关断损耗:214µJ
开启延迟时间:16ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:56nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,20A
导通损耗:265µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD122-1
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:20W
集电集截止电流(Icbo):10µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTWA70N120G2V-4
工作温度:-55℃~200℃
功率:547W
阈值电压:4.9V@1mA
栅极电荷:150nC@18V
包装方式:散装
输入电容:3540pF@800V
连续漏极电流:91A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@50A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: