采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW13NK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2030pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW18NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：285mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF18N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：791pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFH18N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：791pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP18N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：791pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP18N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：791pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF18N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：800pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：295mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD18N60M6
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：16.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP18N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：791pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP13NK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2030pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF18N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：791pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF18NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：285mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW13NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：350W
阈值电压：4.5V@150µA
栅极电荷：266nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@6.5A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL6N3LLH6
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：283pF@24V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB18N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：791pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW13NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：350W
阈值电压：4.5V@150µA
栅极电荷：266nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@6.5A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP13NK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2030pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFH18N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：791pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF18N60M6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：16.8nC@10V
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW18NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：285mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW13NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：350W
阈值电压：4.5V@150µA
栅极电荷：266nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@6.5A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP13NK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2030pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD18N60M6
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：16.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
