销售单位:个
规格型号(MPN):STD8N60DM2
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD12N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW8N90K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:130W
阈值电压:5V@100µA
包装方式:管件
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10LN80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:427pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:130W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:630pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@4A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STW9NK90Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:160W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2115pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@3.6A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STW9NK90Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:160W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2115pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@3.6A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB8NM60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW9N150
工作温度:-55℃~150℃
功率:320W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:89.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3255pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@4A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL18N65M2
工作温度:150℃
功率:57W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:764pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:365mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:130W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:630pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@4A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD8NF25
工作温度:-55℃~175℃
功率:72W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@8A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF10N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:630pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@4A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD8N60DM2
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD11N50M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:395pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8P4LLF6
工作温度:150℃
功率:2.9W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:20.5mΩ@4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD8N60DM2
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW8N90K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:130W
阈值电压:5V@100µA
包装方式:管件
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW9N150
工作温度:-55℃~150℃
功率:320W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:89.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3255pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@4A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:130W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:630pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@4A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP9NK90Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:160W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2115pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@3.6A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF10N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:630pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@4A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STF12N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:535pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD8N60DM2
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW9N150
工作温度:-55℃~150℃
功率:320W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:89.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3255pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@4A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STW9NK90Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:160W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2115pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@3.6A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP9NK90Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:160W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2115pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@3.6A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD8N60DM2
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB8NM60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: