品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP25N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:920pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:188pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.65A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:188pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.65A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD44N4LF6
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:12.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: