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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2N2VH5
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：367pF@16V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STR2N2VH5
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：367pF@16V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：STR2N2VH5
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：367pF@16V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：STR2N2VH5
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功率：350mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
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输入电容：367pF@16V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：STR2N2VH5
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功率：350mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：367pF@16V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@2A，4.5V
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规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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功率：350mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：367pF@16V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：STR2N2VH5
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功率：350mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
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输入电容：367pF@16V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：STR2N2VH5
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：367pF@16V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
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功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
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输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
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导通电阻：56mΩ@1A，10V
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连续漏极电流：2A
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导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：STR2N2VH5
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
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输入电容：367pF@16V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：STR2N2VH5
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：367pF@16V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
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阈值电压：2.5V@250µA
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：639pF@25V
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功率：350mW
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导通电阻：56mΩ@1A，10V
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工作温度：150℃
阈值电压：2.5V@250µA
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
栅极电荷：6nC@4.5V
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功率：350mW
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栅极电荷：4.6nC@4.5V
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输入电容：367pF@16V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2P3LLH6
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：639pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2N2VH5
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：367pF@16V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STR2N2VH5
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：367pF@16V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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