采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8DN6LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：668pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8DN6LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：668pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8DN6LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：668pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BU941ZPFI
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：15A
功率：65W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：175℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@300mA，12A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BU941ZPFI
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：15A
功率：65W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：175℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@300mA，12A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BU941ZPFI
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：15A
功率：65W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：175℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@300mA，12A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8DN6LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：668pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BU941ZPFI
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：15A
功率：65W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：175℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@300mA，12A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8DN6LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：668pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BU941ZPFI
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@5A，10V
工作温度：175℃
晶体管类型：NPN
包装方式：管件
功率：65W
集电极电流(Ic)：15A
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@300mA，12A
集电集截止电流(Icbo)：100µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8DN6LF3
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：668pF@25V
连续漏极电流：20A
导通电阻：30mΩ@4A，10V
功率：65W
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2.5V@250µA
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8DN6LF3
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：668pF@25V
连续漏极电流：20A
导通电阻：30mΩ@4A，10V
功率：65W
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2.5V@250µA
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BU941ZPFI
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：15A
功率：65W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：175℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@300mA，12A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BU941ZPFI
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：15A
功率：65W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：175℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@300mA，12A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8DN6LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：668pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
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包装规格(MPQ)：30psc
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规格型号(MPN)：BU941ZPFI
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：15A
功率：65W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：175℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@300mA，12A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8DN6LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：668pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8DN6LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：668pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
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库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BU941ZPFI
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：15A
功率：65W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：175℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@300mA，12A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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销售单位：个
规格型号(MPN)：BU941ZPFI
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：15A
功率：65W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：175℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@300mA，12A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BU941ZPFI
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：15A
功率：65W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：175℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@300mA，12A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BU941ZPFI
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：15A
功率：65W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：175℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@300mA，12A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BU941ZPFI
集射极击穿电压(Vceo)：350V
集电极电流(Ic)：15A
功率：65W
集电集截止电流(Icbo)：100µA
工作温度：175℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@300mA，12A
包装方式：管件
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8DN6LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：668pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8DN6LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：668pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
