包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW45NM60
工作温度:150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:134nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3800pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@22.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTL35N65G2V
工作温度:-55℃~+175℃
功率:417W
阈值电压:5V
栅极电荷:73nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:40A
类型:MOSFET
导通电阻:67mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTL35N65G2V
工作温度:-55℃~+175℃
功率:417W
阈值电压:5V
栅极电荷:73nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:40A
类型:MOSFET
导通电阻:67mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW45NM60
输入电容:3800pF@25V
工作温度:150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
栅极电荷:134nC@10V
导通电阻:110mΩ@22.5A,10V
漏源电压:650V
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW45NM60
工作温度:150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:134nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3800pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@22.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW45NM60
工作温度:150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:134nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3800pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@22.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
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销售单位:个
规格型号(MPN):STW45NM60
工作温度:150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:134nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3800pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@22.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW45NM60
工作温度:150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:134nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3800pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@22.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW45NM60
工作温度:150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:134nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3800pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@22.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
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