品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26P3LLH6
工作温度:175℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD15N60DM6
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:607pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:338mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW12N120K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:44.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:690mΩ@6A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW13N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:870pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP12NM50
工作温度:-65℃~150℃
功率:160W
阈值电压:5V@50µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB12NM50T4
工作温度:-65℃~150℃
功率:160W
阈值电压:5V@50µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@6A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD12NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STD12NF06L-1
工作温度:-55℃~175℃
功率:42.8W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:10nC@5V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF15N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:900pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@6A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STFU18N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:770pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF14NM50N
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:管件
输入电容:816pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW12N120K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:44.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:690mΩ@6A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP18N65M2
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:770pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW15N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:900pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@6A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP18N65M2
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:770pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP14NM50N
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:管件
输入电容:816pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF14NM50N
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:管件
输入电容:816pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP12NM50
工作温度:-65℃~150℃
功率:160W
阈值电压:5V@50µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB18N60DM2
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:295mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD12N60M6
功率:110W
连续漏极电流:12A
导通电阻:320mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD16N65M5
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB18N60DM2
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:295mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD16N60M2
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD12NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB18N60DM2
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:295mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP12NM50
工作温度:-65℃~150℃
功率:160W
阈值电压:5V@50µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF13N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:870pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW15N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:900pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@6A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD12NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: