包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP140N6F7
工作温度:175℃
功率:158W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@10V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD20NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF140N6F7
工作温度:175℃
功率:33W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB47N60DM6AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF42N60M2-EP
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2370pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:87mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD140N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:134W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@30V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STI47N60DM6AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF42N60M2-EP
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2370pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:87mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB30NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW42N60M2-EP
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2370pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:87mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP30NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD140N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:134W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@30V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF42N60M2-EP
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2370pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:87mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP140N6F7
工作温度:175℃
功率:158W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@10V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP30NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP50N60DM6
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW42N60M2-EP
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2370pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:87mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP30NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB30NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB30NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB30NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP30NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: