品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW5NK100Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1154pF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.7Ω@1.75A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB30NF20
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1597pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP5NK100Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1154pF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.7Ω@1.75A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP30NF20
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1597pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STI24NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL24N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP15N65M5
工作温度:150℃
功率:125W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:810pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP7NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1138pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@2.6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP100N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP9NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1110pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB7NK80ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1138pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@2.6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD70N10F4
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5800pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB23NM50N
工作温度:150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB30NF20
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1597pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB7NK80ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1138pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@2.6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB7NK80ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1138pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@2.6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP142
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:125W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP100N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB100N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP7NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1138pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@2.6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP7NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1138pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@2.6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP142
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:125W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB11NK50ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1390pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STI24NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP30NF20
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1597pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP142
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:125W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB7NK80ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1138pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@2.6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP7NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1138pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@2.6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP100N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: