销售单位:个
规格型号(MPN):STB45N30M5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.24nF@100V
连续漏极电流:53A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@26.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB45N30M5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.24nF@100V
连续漏极电流:53A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@26.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB45N30M5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.24nF@100V
连续漏极电流:53A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@26.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB45N30M5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.24nF@100V
连续漏极电流:53A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@26.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STWA72N60DM2AG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:446W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:121nC@10V
输入电容:5.508nF@100V
连续漏极电流:66A
类型:1个N沟道
导通电阻:42mΩ@33A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW88N65M5
功率:450W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:204nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8.825nF@100V
连续漏极电流:84A
类型:1个N沟道
导通电阻:29mΩ@42A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF43N60DM2
工作温度:-55℃~+150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.5nF@100V
连续漏极电流:34A
类型:1个N沟道
导通电阻:93mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB45N30M5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.24nF@100V
连续漏极电流:53A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@26.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB24N60DM2
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.055nF@100V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF42N65M5
功率:40W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4.65nF@100V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:79mΩ@16.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STF43N60DM2
类型:1个N沟道
功率:40W
输入电容:2.5nF@100V
连续漏极电流:34A
阈值电压:5V@250μA
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:93mΩ@17A,10V
栅极电荷:56nC@10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STF43N60DM2
类型:1个N沟道
功率:40W
输入电容:2.5nF@100V
连续漏极电流:34A
阈值电压:5V@250μA
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:93mΩ@17A,10V
栅极电荷:56nC@10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW38N65M5
漏源电压:650V
阈值电压:5V@250μA
包装方式:管件
类型:1个N沟道
导通电阻:95mΩ@10V,15A
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
功率:190W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW4N150
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
栅极电荷:50nC@10V
输入电容:1.3nF@25V
功率:160W
漏源电压:1.5kV
阈值电压:5V@250μA
导通电阻:7Ω@10V,2A
包装方式:管件
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: