销售单位:个
规格型号(MPN):STD8N60DM2
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD8N60DM2
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD8N60DM2
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD8N60DM2
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD8N60DM2
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB10N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:130W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@4A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB10N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:130W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@4A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB10N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:130W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@4A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STH10N80K5-2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:121W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:17.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:426pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:680mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10LN80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:427pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB10N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:130W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@4A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10LN80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:427pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB10N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:130W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@4A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10LN80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:427pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10LN80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:427pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD8N60DM2
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10LN80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:427pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD8N60DM2
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10LN80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:427pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: