采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：540pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16N60M2
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：540pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：540pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：540pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16N60M2
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：540pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16N60M2
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU10NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：540pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU10NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：540pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：540pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：540pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16N60M2
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11NM50N
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：547pF@50V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF11NM50N
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：547pF@50V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16N60M2
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：540pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：540pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16N60M2
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NM60N
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@50V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF11NM50N
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：547pF@50V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
