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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF16N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：718pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：718pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
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输入电容：710pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF16N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：718pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
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输入电容：718pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：718pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：718pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFU16N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：718pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF16N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：718pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP16N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：718pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP16N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：718pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP16N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：718pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF16N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：718pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STP16N65M2
功率：110W
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
栅极电荷：19.5nC@10V
漏源电压：650V
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
包装方式：管件
输入电容：718pF@100V
阈值电压：4V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
