采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP160N75F3
工作温度：-55℃~175℃
功率：330W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6750pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@60A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD70N10F4
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5800pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB160N75F3
工作温度：-55℃~175℃
功率：330W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6750pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@60A，10V
漏源电压：75V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
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阈值电压：4V@250µA
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
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连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
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类型：N沟道
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类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@60A，10V
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