采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：STB42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL220N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.8W€187W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL220N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.8W€187W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STL220N6F7
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功率：4.8W€187W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：STL220N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.8W€187W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STL220N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.8W€187W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：STB42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STB42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STB42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
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输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STL220N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.8W€187W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STL220N6F7
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功率：4.8W€187W
阈值电压：4V@250µA
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输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STB42N65M5
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连续漏极电流：33A
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STB42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STL220N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.8W€187W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
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输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL220N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.8W€187W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB43N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@100V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@21A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB43N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@100V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@21A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL220N6F7
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
类型：N沟道
漏源电压：60V
导通电阻：1.4mΩ@20A，10V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：120A
功率：4.8W€187W
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB42N65M5
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：33A
漏源电压：650V
输入电容：4650pF@100V
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
功率：190W
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STB42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STB42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STB43N65M5
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栅极电荷：100nC@10V
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连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@21A，10V
漏源电压：650V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB42N65M5
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL220N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.8W€187W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB42N65M5
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：33A
漏源电压：650V
输入电容：4650pF@100V
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
功率：190W
包装清单：商品主体 * 1
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