首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌
    ST
    栅极电荷
    行业应用
    漏源电压
    包装方式
    功率
    连续漏极电流
    品牌: ST
    栅极电荷: 43nC@10V
    行业应用: 汽车
    漏源电压: 600V
    当前匹配商品:20+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    ST Mosfet场效应管 STL33N60DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STL33N60DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL33N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP33N60DM2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STP33N60DM2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP33N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1870pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW33N60DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW33N60DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW33N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1870pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW33N60DM2 起订30个装
    ST Mosfet场效应管 STW33N60DM2 起订30个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW33N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1870pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP33N60DM2 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STP33N60DM2 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP33N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1870pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL33N60DM2 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STL33N60DM2 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL33N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW33N60DM2 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STW33N60DM2 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW33N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1870pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW33N60DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW33N60DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW33N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1870pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW33N60DM2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STW33N60DM2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW33N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1870pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL33N60DM2 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STL33N60DM2 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL33N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW33N60DM2 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STW33N60DM2 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW33N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1870pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL33N60DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STL33N60DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL33N60DM2

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:21A

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@10.5A,10V

    功率:150W

    栅极电荷:43nC@10V

    漏源电压:600V

    输入电容:1870pF@100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP33N60DM2 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STP33N60DM2 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP33N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1870pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW33N60DM2 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STW33N60DM2 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW33N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1870pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW33N60DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW33N60DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW33N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1870pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP33N60DM2 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STP33N60DM2 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP33N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1870pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW33N60DM2 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STW33N60DM2 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW33N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1870pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW33N60DM2 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STW33N60DM2 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW33N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1870pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL33N60DM2 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STL33N60DM2 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL33N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW33N60DM2 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STW33N60DM2 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW33N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1870pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧