采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU12N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：538pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8NF25
工作温度：-55℃~175℃
功率：72W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：420mΩ@8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP12N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：538pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8NF25
工作温度：-55℃~175℃
功率：72W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：420mΩ@8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N60M2
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：538pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N60M2
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：538pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
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输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
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输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF12N60M2
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：538pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP12N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：538pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
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栅极电荷：16nC@10V
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输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
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导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP12N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：538pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8NF25
工作温度：-55℃~175℃
功率：72W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：420mΩ@8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8NF25
工作温度：-55℃~175℃
功率：72W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：420mΩ@8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8NF25
工作温度：-55℃~175℃
功率：72W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：420mΩ@8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU2NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：499pF@25V
连续漏极电流：1.85A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@900mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
