销售单位:个
规格型号(MPN):STL8DN10LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:70W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8N10LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€70W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8N10LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€70W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8N10LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€70W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8N10LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€70W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8N10LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€70W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8N10LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€70W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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规格型号(MPN):STL8N10LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€70W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8N10LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€70W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8DN10LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:70W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8DN10LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:70W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8N10LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€70W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8N10LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€70W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8DN10LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:70W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8DN10LF3
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@25V
导通电阻:35mΩ@4A,10V
类型:2N沟道(双)
功率:70W
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8DN10LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:70W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8N10LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€70W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8N10LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€70W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8N10LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€70W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8DN10LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:70W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8DN10LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:70W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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