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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD9N40M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：271pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：271pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL7N60M2
工作温度：150℃
功率：4W€67W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：271pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：271pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：271pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL7N60M2
工作温度：150℃
功率：4W€67W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：271pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7N60M2
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
栅极电荷：8.8nC@10V
功率：60W
输入电容：271pF@100V
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
导通电阻：950mΩ@2.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：271pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL7N60M2
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
功率：4W€67W
栅极电荷：8.8nC@10V
输入电容：271pF@100V
导通电阻：1.05Ω@2A，10V
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7N60M2
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
栅极电荷：8.8nC@10V
功率：60W
输入电容：271pF@100V
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
导通电阻：950mΩ@2.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL7N60M2
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
功率：4W€67W
栅极电荷：8.8nC@10V
输入电容：271pF@100V
导通电阻：1.05Ω@2A，10V
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7N60M2
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
栅极电荷：8.8nC@10V
功率：60W
输入电容：271pF@100V
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
导通电阻：950mΩ@2.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：271pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：271pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：271pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：271pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD9N40M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL7N60M2
工作温度：150℃
功率：4W€67W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：271pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL7N60M2
工作温度：150℃
功率：4W€67W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：271pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：271pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：271pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：271pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL7N60M2
工作温度：150℃
功率：4W€67W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：271pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL7N60M2
工作温度：150℃
功率：4W€67W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：271pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：271pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL7N60M2
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
功率：4W€67W
栅极电荷：8.8nC@10V
输入电容：271pF@100V
导通电阻：1.05Ω@2A，10V
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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