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    品牌: ST
    包装方式: 卷带(TR)
    漏源电压: 600V
    阈值电压: 5V@250µA
    当前匹配商品:90+
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    ST Mosfet场效应管 STL33N60DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STL33N60DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL33N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB28NM60ND 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB28NM60ND 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB28NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:62.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2090pF@100V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD13NM60ND 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STD13NM60ND 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD13NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:109W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:24.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:845pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD13N60DM2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STD13N60DM2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD13N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:365mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB24N60DM2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STB24N60DM2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB24N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1055pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB18N60DM2

    工作温度:150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:295mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB18N60DM2

    工作温度:150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:295mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB35N60DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STB35N60DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB35N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:210W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB18N60DM2

    工作温度:150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:295mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD5N60DM2 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STD5N60DM2 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD5N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:45W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@100V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.55Ω@1.75A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD13NM60ND 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STD13NM60ND 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD13NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:109W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:24.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:845pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD13NM60ND 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STD13NM60ND 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD13NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:109W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:24.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:845pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB45N60DM2AG 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STB45N60DM2AG 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB45N60DM2AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB37N60DM2AG 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB37N60DM2AG 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB37N60DM2AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:210W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60ND 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60ND 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD10NM60ND

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:577pF@50V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD13NM60ND 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STD13NM60ND 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD13NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:109W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:24.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:845pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD5N60DM2 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD5N60DM2 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD5N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:45W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@100V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.55Ω@1.75A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD13N60DM2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STD13N60DM2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD13N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:365mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD5NM60T4 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD5NM60T4 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD5NM60T4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@2.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB24N60DM2 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STB24N60DM2 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB24N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1055pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD5NM60T4 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STD5NM60T4 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD5NM60T4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@2.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60ND 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60ND 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD10NM60ND

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:577pF@50V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB37N60DM2AG 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STB37N60DM2AG 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB37N60DM2AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:210W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD5N60DM2 起订4个装
    ST Mosfet场效应管 STD5N60DM2 起订4个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD5N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:45W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@100V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.55Ω@1.75A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL26NM60N 起订3000个装
    ST Mosfet场效应管 STL26NM60N 起订3000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL26NM60N

    工作温度:150℃

    功率:125mW€3W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@50V

    连续漏极电流:2.7A€19A

    类型:N沟道

    导通电阻:185mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD5NM60T4 起订2500个装
    ST Mosfet场效应管 STD5NM60T4 起订2500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD5NM60T4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@2.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD5NM60T4 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STD5NM60T4 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD5NM60T4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@2.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB45N60DM2AG 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STB45N60DM2AG 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB45N60DM2AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB18N60DM2

    工作温度:150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:295mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD3NM60T4 起订4000个装
    ST Mosfet场效应管 STD3NM60T4 起订4000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD3NM60T4

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:324pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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