采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB12NM50T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：160W
阈值电压：5V@50µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@6A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD18N55M5
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@100V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：192mΩ@8A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB20NM50T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@10A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB12NM50T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：160W
阈值电压：5V@50µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@6A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB12NM50T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：160W
阈值电压：5V@50µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@6A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB12NM50T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：160W
阈值电压：5V@50µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@6A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB12NM50T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：160W
阈值电压：5V@50µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@6A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD18N55M5
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@100V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：192mΩ@8A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB12NM50T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：160W
阈值电压：5V@50µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@6A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL36N55M5
工作温度：150℃
功率：2.8W€150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@100V
连续漏极电流：22.5A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@16.5A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB12NM50T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：160W
阈值电压：5V@50µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@6A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB20NM50T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@10A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD18N55M5
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@100V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：192mΩ@8A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB20NM50T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@10A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD18N55M5
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@100V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：192mΩ@8A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD18N55M5
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@100V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：192mΩ@8A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STB12NM50T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：160W
阈值电压：5V@50µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@6A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD18N55M5
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@100V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：192mΩ@8A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：1513
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL36N55M5
工作温度：150℃
功率：2.8W€150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@100V
连续漏极电流：22.5A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@16.5A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB20NM50T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@10A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD18N55M5
功率：110W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：192mΩ@8A，10V
漏源电压：550V
栅极电荷：31nC@10V
输入电容：1260pF@100V
连续漏极电流：16A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL36N55M5
工作温度：150℃
功率：2.8W€150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@100V
连续漏极电流：22.5A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@16.5A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD18N55M5
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@100V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：192mΩ@8A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB20NM50T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@10A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：1513
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL36N55M5
工作温度：150℃
功率：2.8W€150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@100V
连续漏极电流：22.5A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@16.5A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB12NM50T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：160W
阈值电压：5V@50µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@6A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：1513
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL36N55M5
工作温度：150℃
功率：2.8W€150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@100V
连续漏极电流：22.5A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@16.5A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1513
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL36N55M5
工作温度：150℃
功率：2.8W€150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@100V
连续漏极电流：22.5A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@16.5A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1513
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL36N55M5
工作温度：150℃
功率：2.8W€150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@100V
连续漏极电流：22.5A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@16.5A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1513
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL36N55M5
工作温度：150℃
功率：2.8W€150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@100V
连续漏极电流：22.5A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@16.5A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
