销售单位:个
规格型号(MPN):STB23NM50N
工作温度:150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB23NM50N
工作温度:150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB23NM50N
工作温度:150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB24NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB23NM50N
工作温度:150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB23NM50N
工作温度:150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB21N65M5
工作温度:150℃
功率:125W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB24NM60N
连续漏极电流:17A
导通电阻:190mΩ@8A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@50V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB24NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: