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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB6NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB6NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF7N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：324pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STF7N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：324pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB6NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STB6NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
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库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF7N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：324pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STB6NK60ZT4
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功率：110W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：46nC@10V
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连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
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功率：110W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：46nC@10V
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输入电容：905pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：STF7N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：324pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：324pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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