销售单位:个
规格型号(MPN):STS1DNC45
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:3.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.5Ω@500mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STT5N2VH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:367pF@16V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STT6N3LLH6
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:283pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STT6N3LLH6
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:283pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STT5N2VH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:367pF@16V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STS1DNC45
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:3.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.5Ω@500mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS1DNC45
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:3.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.5Ω@500mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STT6N3LLH6
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:283pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STT5N2VH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:367pF@16V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STT6N3LLH6
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:283pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STT4P3LLH6
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:639pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STT5N2VH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:367pF@16V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STT6N3LLH6
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:283pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STT4P3LLH6
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:639pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STT5N2VH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:367pF@16V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STT6N3LLH6
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:283pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STT4P3LLH6
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:639pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STS4DPF20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:80mΩ@2A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STT6N3LLH6
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:283pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STT5N2VH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:367pF@16V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STT4P3LLH6
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:639pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STT4P3LLH6
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:639pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STT4P3LLH6
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:639pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STT4P3LLH6
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:639pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STT4P3LLH6
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:639pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STT4P3LLH6
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:639pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STS4DPF20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:80mΩ@2A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STT4P3LLH6
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:639pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STT5N2VH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:367pF@16V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STT4P3LLH6
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:639pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: