销售单位:个
规格型号(MPN):STB12NM50T4
工作温度:-65℃~150℃
功率:160W
阈值电压:5V@50µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@6A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB20NM50T4
工作温度:-65℃~150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@10A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB12NM50T4
工作温度:-65℃~150℃
功率:160W
阈值电压:5V@50µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@6A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB12NM50T4
工作温度:-65℃~150℃
功率:160W
阈值电压:5V@50µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@6A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB12NM50T4
工作温度:-65℃~150℃
功率:160W
阈值电压:5V@50µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@6A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB12NM50T4
工作温度:-65℃~150℃
功率:160W
阈值电压:5V@50µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@6A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB11NM60T4
工作温度:-65℃~150℃
功率:160W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB12NM50T4
工作温度:-65℃~150℃
功率:160W
阈值电压:5V@50µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@6A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NM60T4
工作温度:-65℃~150℃
功率:42W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:324pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NM60T4
工作温度:-65℃~150℃
功率:42W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:324pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB11NM80T4
工作温度:-65℃~150℃
功率:150W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:43.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1630pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NM60T4
工作温度:-65℃~150℃
功率:42W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:324pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB12NM50T4
工作温度:-65℃~150℃
功率:160W
阈值电压:5V@50µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@6A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB20NM50T4
工作温度:-65℃~150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@10A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB20NM50T4
工作温度:-65℃~150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@10A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB12NM50T4
工作温度:-65℃~150℃
功率:160W
阈值电压:5V@50µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@6A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB20NM50T4
工作温度:-65℃~150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@10A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NM60T4
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-65℃~150℃
连续漏极电流:3A
功率:42W
输入电容:324pF@25V
漏源电压:600V
导通电阻:1.5Ω@1.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB20NM50T4
工作温度:-65℃~150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@10A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB12NM50T4
工作温度:-65℃~150℃
功率:160W
阈值电压:5V@50µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@6A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB20NM50T4
工作温度:-65℃~150℃
功率:192W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@10A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
库存: