品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF9N60M2
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:320pF@100V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:780mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP9N60M2
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:320pF@100V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:780mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP2NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:8Ω@700mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF9N60M2
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:320pF@100V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:780mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STF9N60M2
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:320pF@100V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:780mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@250µA
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包装方式:管件
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP2NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:8Ω@700mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
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包装方式:管件
输入电容:156pF@25V
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类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
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库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@250µA
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类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
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库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF9N60M2
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:320pF@100V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:780mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP9N60M2
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:780mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STF9N60M2
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:320pF@100V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:780mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):75psc
规格型号(MPN):STD1NK60-1
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
功率:30W
连续漏极电流:1A
漏源电压:600V
输入电容:156pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STF9N60M2
工作温度:150℃
类型:N沟道
输入电容:320pF@100V
导通电阻:780mΩ@3A,10V
功率:20W
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
连续漏极电流:5.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP2NK60Z
输入电容:170pF@25V
功率:45W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
导通电阻:8Ω@700mA,10V
漏源电压:600V
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP2NK60Z
输入电容:170pF@25V
功率:45W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
导通电阻:8Ω@700mA,10V
漏源电压:600V
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STF9N60M2
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:320pF@100V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:780mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF9N60M2
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:320pF@100V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:780mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STF9N60M2
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:780mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STF9N60M2
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:320pF@100V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:780mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: