销售单位:个
规格型号(MPN):TS110-8A1-AP
断态峰值电压(Vdrm):800V
通态峰值电压(Vtm):1.6V
保持电流(Ih):12mA
浪涌电流(Itsm):20A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):1.25A
门极触发电流(Igt):100µA
包装方式:剪切带(CT)
门极触发电压(Vgt):800mV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):Z0107NA 2AL2
断态峰值电压(Vdrm):800V
保持电流(Ih):10mA
浪涌电流(Itsm):8A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):1A
门极触发电流(Igt):5mA
包装方式:剪切带(CT)
门极触发电压(Vgt):1.3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ2LN60K3-AP
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:235pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):X0202MA 2BL2
断态峰值电压(Vdrm):600V
通态峰值电压(Vtm):1.45V
保持电流(Ih):5mA
浪涌电流(Itsm):22.5A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):1.25A
门极触发电流(Igt):200µA
包装方式:剪切带(CT)
门极触发电压(Vgt):800mV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ1NK60ZR-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:94pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@400mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ACS108-8SA-TR
断态峰值电压(Vdrm):800V
保持电流(Ih):10mA
浪涌电流(Itsm):13A
工作温度:-30℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):450mA
门极触发电流(Igt):10mA
包装方式:剪切带(CT)
门极触发电压(Vgt):1V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):X0202MA 2BL2
断态峰值电压(Vdrm):600V
通态峰值电压(Vtm):1.45V
保持电流(Ih):5mA
浪涌电流(Itsm):22.5A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):1.25A
门极触发电流(Igt):200µA
包装方式:剪切带(CT)
门极触发电压(Vgt):800mV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):X0202MA 2BL2
断态峰值电压(Vdrm):600V
通态峰值电压(Vtm):1.45V
保持电流(Ih):5mA
浪涌电流(Itsm):22.5A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):1.25A
门极触发电流(Igt):200µA
包装方式:剪切带(CT)
门极触发电压(Vgt):800mV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):X0202MA 2BL2
断态峰值电压(Vdrm):600V
通态峰值电压(Vtm):1.45V
保持电流(Ih):5mA
浪涌电流(Itsm):22.5A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):1.25A
门极触发电流(Igt):200µA
包装方式:剪切带(CT)
门极触发电压(Vgt):800mV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):P0102DA 2AL3
断态峰值电压(Vdrm):400V
通态峰值电压(Vtm):1.95V
保持电流(Ih):5mA
浪涌电流(Itsm):7A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):800mA
门极触发电流(Igt):200µA
包装方式:剪切带(CT)
门极触发电压(Vgt):800mV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):P0102DA 2AL3
断态峰值电压(Vdrm):400V
通态峰值电压(Vtm):1.95V
保持电流(Ih):5mA
浪涌电流(Itsm):7A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):800mA
门极触发电流(Igt):200µA
包装方式:剪切带(CT)
门极触发电压(Vgt):800mV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):X0202MA 2BL2
断态峰值电压(Vdrm):600V
通态峰值电压(Vtm):1.45V
保持电流(Ih):5mA
浪涌电流(Itsm):22.5A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):1.25A
门极触发电流(Igt):200µA
包装方式:剪切带(CT)
门极触发电压(Vgt):800mV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):P0102DA 2AL3
断态峰值电压(Vdrm):400V
通态峰值电压(Vtm):1.95V
保持电流(Ih):5mA
浪涌电流(Itsm):7A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):800mA
门极触发电流(Igt):200µA
包装方式:剪切带(CT)
门极触发电压(Vgt):800mV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ2HNK60ZR-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):X0202MA 2BL2
断态峰值电压(Vdrm):600V
通态峰值电压(Vtm):1.45V
保持电流(Ih):5mA
浪涌电流(Itsm):22.5A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):1.25A
门极触发电流(Igt):200µA
包装方式:剪切带(CT)
门极触发电压(Vgt):800mV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ1NK60ZR-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:94pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@400mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ2LN60K3-AP
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:235pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ1HNK60R-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ACS108-8SA-TR
断态峰值电压(Vdrm):800V
保持电流(Ih):10mA
浪涌电流(Itsm):13A
工作温度:-30℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):450mA
门极触发电流(Igt):10mA
包装方式:剪切带(CT)
门极触发电压(Vgt):1V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"20+":32000,"22+":82000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ACS108-8SA-TR
断态峰值电压(Vdrm):800V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):10mA
浪涌电流(Itsm):13A
工作温度:-30℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):450mA
门极触发电流(Igt):10mA
包装方式:剪切带(CT)
门极触发电压(Vgt):1V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ1HNK60R-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):P0102DA 2AL3
断态峰值电压(Vdrm):400V
通态峰值电压(Vtm):1.95V
保持电流(Ih):5mA
浪涌电流(Itsm):7A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):800mA
门极触发电流(Igt):200µA
包装方式:剪切带(CT)
门极触发电压(Vgt):800mV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"21+":50000,"22+":8000,"MI+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):TS110-8A2-AP
断态峰值电压(Vdrm):800V
通态峰值电压(Vtm):1.6V
ECCN:EAR99
保持电流(Ih):12mA
浪涌电流(Itsm):20A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):1.25A
门极触发电流(Igt):100µA
包装方式:剪切带(CT)
门极触发电压(Vgt):800mV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ2LN60K3-AP
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:235pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ1NK80ZR-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ACS108-8SA-TR
断态峰值电压(Vdrm):800V
保持电流(Ih):10mA
浪涌电流(Itsm):13A
工作温度:-30℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):450mA
门极触发电流(Igt):10mA
包装方式:剪切带(CT)
门极触发电压(Vgt):1V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ1NK80ZR-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ1NK80ZR-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):TS110-8A1-AP
断态峰值电压(Vdrm):800V
通态峰值电压(Vtm):1.6V
保持电流(Ih):12mA
浪涌电流(Itsm):20A
工作温度:-40℃~125℃
通态RMS电流(It(rms)):1.25A
门极触发电流(Igt):100µA
包装方式:剪切带(CT)
门极触发电压(Vgt):800mV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ2HNK60ZR-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: