品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTWA70N120G2V-4
工作温度:-55℃~200℃
功率:547W
阈值电压:4.9V@1mA
栅极电荷:150nC@18V
包装方式:散装
输入电容:3540pF@800V
连续漏极电流:91A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@50A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTWA40N120G2V-4
工作温度:-55℃~200℃
功率:277W
阈值电压:4.9V@1mA
栅极电荷:61nC@18V
包装方式:散装
输入电容:1233pF@800V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:100Ω@20A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTWA40N120G2V-4
工作温度:-55℃~200℃
功率:277W
阈值电压:4.9V@1mA
栅极电荷:61nC@18V
包装方式:散装
输入电容:1233pF@800V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:100Ω@20A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
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规格型号(MPN):SCTWA40N120G2V-4
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功率:277W
阈值电压:4.9V@1mA
栅极电荷:61nC@18V
包装方式:散装
输入电容:1233pF@800V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:100Ω@20A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):600psc
规格型号(MPN):SCTWA70N120G2V-4
连续漏极电流:91A
导通电阻:30mΩ@50A,18V
工作温度:-55℃~200℃
类型:N沟道
漏源电压:1200V
功率:547W
阈值电压:4.9V@1mA
输入电容:3540pF@800V
栅极电荷:150nC@18V
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SCTWA70N120G2V-4
工作温度:-55℃~200℃
功率:547W
阈值电压:4.9V@1mA
栅极电荷:150nC@18V
包装方式:散装
输入电容:3540pF@800V
连续漏极电流:91A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@50A,18V
漏源电压:1200V
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功率:547W
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栅极电荷:150nC@18V
包装方式:散装
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连续漏极电流:91A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@50A,18V
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工作温度:-55℃~200℃
功率:547W
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栅极电荷:150nC@18V
包装方式:散装
输入电容:3540pF@800V
连续漏极电流:91A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@50A,18V
漏源电压:1200V
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功率:547W
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栅极电荷:150nC@18V
包装方式:散装
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连续漏极电流:91A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@50A,18V
漏源电压:1200V
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规格型号(MPN):SCTWA70N120G2V-4
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功率:547W
阈值电压:4.9V@1mA
栅极电荷:150nC@18V
包装方式:散装
输入电容:3540pF@800V
连续漏极电流:91A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@50A,18V
漏源电压:1200V
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