品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN3N40K3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@50V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@600mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):STN3N40K3
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功率:3.3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@50V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@600mA,10V
漏源电压:400V
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类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@600mA,10V
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行业应用:工业,汽车
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输入电容:165pF@50V
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类型:N沟道
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连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@600mA,10V
漏源电压:400V
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功率:3.3W
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栅极电荷:11nC@10V
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输入电容:165pF@50V
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类型:N沟道
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功率:3.3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@50V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@600mA,10V
漏源电压:400V
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行业应用:工业,汽车
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功率:3.3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@50V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@600mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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规格型号(MPN):STN3N40K3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@50V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@600mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:3.3W
阈值电压:4.5V@50μA
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输入电容:165pF@50V
连续漏极电流:1.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.4Ω@10V,600mA
漏源电压:400V
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功率:3.3W
阈值电压:4.5V@50μA
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输入电容:165pF@50V
连续漏极电流:1.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.4Ω@10V,600mA
漏源电压:400V
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@50V
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类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@600mA,10V
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阈值电压:4.5V@50μA
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连续漏极电流:1.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.4Ω@10V,600mA
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规格型号(MPN):STN3N40K3
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功率:3.3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@50V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:3.4Ω@600mA,10V
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