采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7NM80
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@3.25A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB18NM80
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：295mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB17N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：866pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB17N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：866pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB18NM80
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：295mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB11NM80T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：43.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB18NM80
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：295mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB18NM80
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：295mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB18NM80
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：295mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STB17N80K5
输入电容：866pF@100V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
栅极电荷：26nC@10V
连续漏极电流：14A
导通电阻：340mΩ@7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB18NM80
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：295mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB18NM80
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：295mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7NM80
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@3.25A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB18NM80
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：295mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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