销售单位:个
功率:136W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:74.9nC@10V
输入电容:4.295nF@25V
连续漏极电流:84A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.8mΩ@38.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:30W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:1.3nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:105pF@25V
导通电阻:15mΩ@10V,27.5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:30W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:1.3nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:105pF@25V
导通电阻:15mΩ@10V,27.5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD20NF06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80N6F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7480pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD20NF06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB60NF06T4
工作温度:-65℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1810pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
功率:136W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:74.9nC@10V
输入电容:4.295nF@25V
连续漏极电流:84A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.8mΩ@38.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:150nC@10V
输入电容:3.85nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@10V,40A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:30W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:1.3nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:105pF@25V
导通电阻:15mΩ@10V,27.5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD20NF06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.3W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:9nC@5V
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@10V,1.5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:45W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:315pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@10V,8A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB16NF06LT4
工作温度:-55℃~+175℃
功率:45W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:90mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB55NF06LT4
工作温度:-55℃~+175℃
功率:95W
阈值电压:4.7V@250μA
栅极电荷:37nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.7nF@25V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:18mΩ@27.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W€78W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:25nC@10V
输入电容:1.6nF@25V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-65℃~+175℃
功率:110W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:66nC@4.5V
输入电容:2nF@25V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@10V,30A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB55NF06LT4
工作温度:-55℃~+175℃
功率:95W
阈值电压:4.7V@250μA
栅极电荷:37nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.7nF@25V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:18mΩ@27.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD140N6F7
工作温度:-55℃~+175℃
功率:134W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.1nF@30V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:193pF@30V
导通电阻:3.1mΩ@10V,40A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD140N6F7
工作温度:-55℃~+175℃
功率:134W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.1nF@30V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:193pF@30V
导通电阻:3.1mΩ@10V,40A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB16NF06LT4
工作温度:-55℃~+175℃
功率:45W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:90mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:66nC@4.5V
导通电阻:14mΩ@10V,30A
功率:110W
连续漏极电流:60A
输入电容:2nF@25V
类型:1个N沟道
阈值电压:1V@250μA
工作温度:-65℃~+175℃
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD30NF06LT4
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.6nF@25V
类型:1个N沟道
功率:70W
漏源电压:60V
导通电阻:28mΩ@10V,18A
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+175℃
连续漏极电流:35A
栅极电荷:31nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: