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    连续漏极电流
    品牌: ST
    漏源电压: 600V
    类型: 1个N沟道
    阈值电压: 4V@250μA
    当前匹配商品:10+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    数量/起订
    操作
    ST Mosfet场效应管 STFH10N60M2 起订数75个
    ST Mosfet场效应管 STFH10N60M2 起订数75个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:13.5nC@10V

    输入电容:400pF@100V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:600mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STFH10N60M2 起订数250个
    ST Mosfet场效应管 STFH10N60M2 起订数250个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:13.5nC@10V

    输入电容:400pF@100V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:600mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF26N60M2 起订数2个
    ST Mosfet场效应管 STF26N60M2 起订数2个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:165mΩ@11A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF18N60M2 起订数5000个
    ST Mosfet场效应管 STF18N60M2 起订数5000个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF18N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:791pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP26NM60N 起订数1000个
    ST Mosfet场效应管 STP26NM60N 起订数1000个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:140W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:1.8nF@50V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:165mΩ@10V,10A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF18N60M2 起订数500个
    ST Mosfet场效应管 STF18N60M2 起订数500个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:25W

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:280mΩ@10V,6.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP26NM60N 起订数25个
    ST Mosfet场效应管 STP26NM60N 起订数25个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:140W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:1.8nF@50V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:165mΩ@10V,10A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF24N60M2 起订数500个
    ST Mosfet场效应管 STF24N60M2 起订数500个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:29nC@10V

    输入电容:1.06nF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:190mΩ@10V,9A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD13N60M2 起订数1000个
    ST Mosfet场效应管 STD13N60M2 起订数1000个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:17nC@10V

    输入电容:580pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:380mΩ@10V,5.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60N 起订数100个
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60N 起订数100个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:70W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:19nC@10V

    输入电容:540pF@50V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:550mΩ@10V,4A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF18N60M2 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STF18N60M2 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF18N60M2

    功率:25W

    阈值电压:4V@250μA

    包装方式:管件

    连续漏极电流:13A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:280mΩ@10V,6.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP26NM60N 起订数100个
    ST Mosfet场效应管 STP26NM60N 起订数100个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:140W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:1.8nF@50V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:165mΩ@10V,10A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP26NM60N 起订数500个
    ST Mosfet场效应管 STP26NM60N 起订数500个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:140W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:1.8nF@50V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:165mΩ@10V,10A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP26NM60N 起订数200个
    ST Mosfet场效应管 STP26NM60N 起订数200个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:140W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:1.8nF@50V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:165mΩ@10V,10A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD13N60M2 起订数1000个
    ST Mosfet场效应管 STD13N60M2 起订数1000个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    阈值电压:4V@250μA

    功率:110W

    工作温度:-55℃~+150℃

    输入电容:580pF@100V

    类型:1个N沟道

    导通电阻:380mΩ@10V,5.5A

    栅极电荷:17nC@10V

    连续漏极电流:11A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW24N60M2 起订数120个
    ST Mosfet场效应管 STW24N60M2 起订数120个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW24N60M2

    导通电阻:190mΩ@9A,10V

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:29nC@10V

    类型:N沟道

    功率:150W

    包装方式:管件

    输入电容:1060pF@100V

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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