品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB28N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW32NM50N
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1973pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB32NM50N
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1973pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW30N65M5
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2880pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:139mΩ@11A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW30N65M5
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2880pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:139mΩ@11A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW30N65M5
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2880pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:139mΩ@11A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB28N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB32NM50N
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1973pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB32NM50N
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62.5nC@10V
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输入电容:1973pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW30N65M5
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2880pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:139mΩ@11A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB32NM50N
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
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包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW30N65M5
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类型:N沟道
导通电阻:139mΩ@11A,10V
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库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW30N65M5
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
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类型:N沟道
导通电阻:139mΩ@11A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB32NM50N
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1973pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB32NM50N
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1973pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW30N65M5
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2880pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:139mΩ@11A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW30N65M5
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2880pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:139mΩ@11A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB31N65M5
工作温度:150℃
功率:150W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1865pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:148mΩ@11A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW30N65M5
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2880pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:139mΩ@11A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: