销售单位:个
规格型号(MPN):STD7NM60N
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7NM60N
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:271pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NK60ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NM60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:271pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NM60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NK60ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL7N60M2
工作温度:150℃
功率:4W€67W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:271pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.05Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NM60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NM60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:271pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:271pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NK60ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NK60ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NM60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NM60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NM60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NM60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NM60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NM60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL7N60M2
工作温度:150℃
功率:4W€67W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:271pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.05Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7N60M2
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
栅极电荷:8.8nC@10V
功率:60W
输入电容:271pF@100V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
导通电阻:950mΩ@2.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NK60ZT4
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
阈值电压:4.5V@50µA
功率:90W
输入电容:690pF@25V
漏源电压:600V
导通电阻:1.6Ω@2.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:271pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB7ANM60N
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@250mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL7N60M2
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
功率:4W€67W
栅极电荷:8.8nC@10V
输入电容:271pF@100V
导通电阻:1.05Ω@2A,10V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7N60M2
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
栅极电荷:8.8nC@10V
功率:60W
输入电容:271pF@100V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
导通电阻:950mΩ@2.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NM60T4
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
阈值电压:5V@250µA
输入电容:400pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:600V
功率:96W
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7NM60N
包装方式:卷带(TR)
功率:45W
工作温度:150℃
连续漏极电流:5A
栅极电荷:14nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
输入电容:363pF@50V
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: