采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB28N65M2
工作温度：150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW28N65M2
工作温度：150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP65N150M9
功率：140W
连续漏极电流：20A
导通电阻：150mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF28N65M2
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP65N150M9
功率：140W
连续漏极电流：20A
导通电阻：150mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP65N150M9
功率：140W
连续漏极电流：20A
导通电阻：150mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30N65M2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW28N65M2
工作温度：150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB28N65M2
工作温度：150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30N65M2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP65N150M9
功率：140W
连续漏极电流：20A
导通电阻：150mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP28N65M2
工作温度：150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF28N65M2
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP28N65M2
工作温度：150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF28N65M2
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW28N65M2
工作温度：150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30N65M2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP28N65M2
工作温度：150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW28N65M2
工作温度：150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30N65M2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF28N65M2
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB28N65M2
工作温度：150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB28N65M2
工作温度：150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB28N65M2
工作温度：150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF28N65M2
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD65N160M9
工作温度：-55℃~+150℃
功率：106W
阈值电压：4.2V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：1.239nF@400V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：160mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB28N65M2
工作温度：150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF28N65M2
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF28N65M2
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP65N150M9
功率：140W
连续漏极电流：20A
导通电阻：150mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
